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郝躍  
研究領域(方向)
郝院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科學研究与人才培養。
個人及工作簡曆
郝躍教授,微电子技术专家。1958年3月生于重庆市,1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位。担任国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项副总师,军委科技委电子技术领域专家委员会主任委员,国务院学位委员会电子科学与技术学科评议组召集人,国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员,全国政协委员。国家有突出贡献中青年专家,曾担任国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、多个国内外学术会议的大会主席和程序委员会主席。
科研項目
郝院士在氮化镓∕碳化矽第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
學術及科研成果、專利、論文
獲得國家發明獎二等獎1項,國家科技進步二等獎2項;出版了“氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件”、“碳化矽寬帶隙半導體技術”、“集成電路制造動力學理論與方法”和“微納米CMOS器件可靠性與失效機理”等多部著作,在國內外著名期刊上發表學術論文500余篇;2010年榮獲“何梁何利”科學技術獎,2013年當選中國科學院院士。
聯系方式
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更新日期:2018-04-08